在半导体单晶片（主要是N型硅单晶片）上，P型杂质被扩散，并且通过选择性地仅扩散部分N型硅单晶片形成的PN结被屏蔽作用利用。
硅晶片的表面氧化膜。
因此，不需要药物的腐蚀作用来调节PN结面积。
半导体表面的名称是因为它是扁平的。
此外，由于PN键的表面被氧化膜覆盖，因此被认为是具有良好稳定性和长寿命的类型。
首先，要使用的半导体材料通过外延方法形成，因此平面类型被称为外延平面型。
对于扁平型二极管，似乎很少有用于大电流整流的型号，并且有许多型号用于小电流开关。
日本工业技术研究所电子技术研究所利用扫描隧道显微镜（STM）成功制作了线宽为18 nm的平面二极管。
日本计划在2010年开发64千兆位的动态随机存取存储器，这种二极管的开发提供了可能性。
利用STM逐个控制电子和分子并制作最终组件的研究工作非常活跃，但事实上，它是世界上第一个制造电子元件的公司。
这一成就开辟了实现量子功能组件的道路，从而引起人们的注意。
该组分的要点是STM充当捕获原子并充当引起化学反应的电极。
